百家乐ios 安森好意思发布GaNEXUS™氮化镓功率产物组合

现已提供样品，为AI数据中心、机器东说念主及动力基础关节运用带来更高功率密度与能效

摘要

安森好意思（onsemi）晓喻推出全新GaNEXUS™氮化镓（GaN）功率产物组合。该系列专为在东说念主工智能（AI）数据中心、工业自动化、机器东说念主及动力基础关节等运用中兑现更高能效、更高功率密度及更优热性能而筹画。首批产物包括隐敝40V至650V电压领域的GaNEXUS FET样品，其中包含集成保护功能的650V GaN FET——GaNEXUS Smart器件，可简化系统集成并训诫举座可靠性。

新闻亮点

安森好意思的GaNEXUS产物组合为下一代电源架构带来更快开关速率、更低开关损耗、更高功率密度及更优热性能

隐敝40V至650V的GaNEXUS FET及集成保护功能的650V GaN FET——GaNEXUS Smart器件，现已运行提供样品

归拢安森好意思集成感知、限度、保护和电源治理功能的Treo平台，GaNEXUS可兑现更智能、更可靠、更肃肃的系统级电源治理决策

归拢安森好意思的硅、EliteSiC与GaNEXUS技巧，为客户优化总共这个词电力传输链的能效、热性能、系统尺寸及总资本提供更大纯真性

安森好意思推出GaNEXUS™氮化镓功率产物组合，首批样品包括隐敝40V至650V电压领域的GaNEXUS FET，以及650V GaN FET——GaNEXUS Smart器件。该产物组符合用于对电力需求高的运用场景，包括AI数据中心供电、48V系统、机器东说念主与工业自动化，以及动力基础关节等。

GaNEXUS的加入膨胀了安森好意思智能电源产物组合的身手，大致为不同运用、电压域和性能条目提供优化的电源治理决策。GaNEXUS、硅和EliteSiC技巧组成了安森好意思鄙俚的电源产物组合，为客户在总共这个词电力传输架构中优化性能、能效、热性能及系统总资本提供更大纯真性。

遑急意旨

跟着AI基础关节、电气化、工业自动化及动力系统的快速发展，对更高能效和更紧凑电源架构的需求合手续增长，2026世界杯中国官方app筹画东说念主员在能耗、热治理及系统尺寸方面靠近日益严峻的挑战。

与传统硅基决策比较，GaNEXUS通过兑现更快开关速率、更低开关损耗、更高功率密度及更优热性能，灵验应酬上述挑战。这些上风匡助客户大致在AI数据中心供电、电动汽车充电、机器东说念主及工业电源系统等运用筹画中，缩小磁性元件及散热系统尺寸，同期训诫举座系统能效与反应速率，并镌汰系统资本。

安森好意思氮化镓行状部副总裁Antoine Jalabert暗示：“咱们的GaNEXUS产物组合正在鼓吹电源系统筹画迈向全新架构。跟着客户胁制追求在更小空间内兑现更大功率，百家乐2026世界杯中国官方下载GaNEXUS为工程师提供了更大的纯真性，以芜乱传统电源架构的限度。”

技巧兑现

GaNEXUS旨在优化当代电源系统中的电能颐养与电源治理。将GaNEXUS与安森好意思的Treo平台（集成感知、限度、保护及电源治理）合作使用时，可提供完好意思的系统级电源治理决策，兑现更智能、更可靠、更肃肃的系统推崇。这种系统级决策有助于客户简化总共这个词电力传输链的筹画复杂性，加速开荒与认证速率，镌汰散热与冷却需求，并优化性能。

在包括AI职业器48V中间母线颐养器（IBC）、电板备用单位（BBU）及电机驱动等中低压系统中，GaNEXUS可兑现：

磁性元件尺寸缩小约30%–60%

功率密度训诫约1.5–2倍

能效训诫约0.5%–2%（取决于拓扑结构）

镌汰开关损耗，改善热性能与限度清爽性

在AI电源机架、高压DC-DC颐养、PFC及LLC功率级等高压运用中，GaNEXUS可兑现：

在高频AC-DC与谐振级中，磁性元件尺寸最多可缩减约60%

在PFC、LLC及高压DC-DC架构中，功率密度训诫约1.5–2倍

能效训诫约0.5%–1%，在领域化部署时显耀优化热性能并改善运营资本

更低损耗可消弱紧凑型高功率系统中的热应力

GaNEXUS Smart镌汰系统风险，简化功率级筹画，从而加速认证速率并训诫可靠性

GaNEXUS器件接管增强散热的封装，具备行业尺度的引脚布局，赈济双源供货，举例TOLL底部散热、TOLT顶部散热，以及3.3mm×3.3mm和5mm×6mm的双面散热封装。

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